三星回应英伟达HBM芯片测试传闻:测试按计划进行中

导读: 上个月,英伟达首席执行官黄仁勋公开表示,公司正在积极评估美光和三星的芯片,以评估它们的市场竞争力,尤其是与海力士相比的优势,上周,有消息传出英伟达已批准三星的8层3芯

齐齐哈尔时尚网小编提示,记得把"三星回应英伟达HBM芯片测试传闻:测试按计划进行中"分享给大家!

针对英伟达(NVDA.US)测试其高带宽存储芯片(HBM)的媒体报道,三星电子(SSNLF.US)再次发表官方回应,澄清相关传闻。三星方面表示,测试工作正在“按计划”顺利进行,并与各客户保持密切合作,以优化产品性能。

上周,有消息传出英伟达已批准三星的8层HBM3E芯片用于其人工智能处理器。然而,三星迅速对此传闻进行了否认,称该报道与事实相去甚远。“我们无法证实与客户相关的传闻,这个报道并非真实情况。”三星的一位发言人通过电子邮件明确回应道。

HBM(高带宽内存)作为一种动态随机存取存储器(DRAM)标准,通过垂直堆叠芯片的方式有效节省空间并降低能耗,已成为人工智能GPU不可或缺的关键组件。它能够高效处理复杂应用程序产生的大量数据,对于推动AI技术的发展具有重要意义。目前,HBM3是新一代人工智能GPU中最常用的第四代技术标准,而HBM3E芯片则采用了更为先进的第五代标准。

在全球HBM芯片市场中,SK海力士与三星电子占据了主导地位,而美国芯片制造商美光科技(MU.US)紧随其后。上个月,英伟达首席执行官黄仁勋公开表示,公司正在积极评估美光和三星的HBM芯片,以评估它们的市场竞争力,尤其是与SK海力士相比的优势。

(环球网)

齐齐哈尔时尚网 qqdjxw.com