半导体发展史上的 6 个国人(5)

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卓以和发现当时工业界没有技术生产均匀而极薄的薄膜，于是思考利用离子喷射机原理分子束做这项技术，1970 年，卓以和成功发明分子束外延技术（Molecular Beam Epitaxy，MBE），原理是将一层层原子射上去，使半导体薄膜的厚度大大降低，半导体制造精度由微米时代进入亚微米时代。

卓以和教授是国际公认的分子束外延、人工微结构材料生长和在新型器件研究领域的奠基人与开拓者。对Ⅲ－V 族化合物半导体、金属和绝缘体的异质外延和人工结构的量子阱、超晶格及调制掺杂微结构材料系统地开展了大量先驱性的研究工作。

从 2004 年开始"MBE 群体捐赠出一笔资金成立“卓以和奖”，每隔一年的 9 月初"在 MBE 国际大会上颁发。这无疑是全体同业及同事对卓以和最高的肯定和敬意。

四、张立纲：共振隧穿现象

张立纲（Leroy L.Chang），1936 年 1 月 20 日出生出生于河南焦作县；1948 年抵达台湾，就读于台湾台中市立第二高级中学；1953 年考入台湾大学电机工程系，主修电力工程，1957 年，获得学士学位；1959 年，经过两年的空军预备军官训练及服役后，赴美国南卡罗来纳大学电子电机工程系学习；1961 年，获得硕士学位，进入斯坦福大学攻读固态电子、电机工程系博士学位；1963 年博士毕业后进入 IBM 华生研究中心工作，历任分子束磊晶部经理（1975 至 1984 年）及量子结构部经理（1985 至 1993 年），研究领域也渐由电子器件转为材料测制及物理特性方面；1968 年至 1969 年在美国麻省理工学院电机系工作，担任副教授；1988 年当选为美国国家工程院院士；1993 年任香港科技大学理学院院长；1994 年当选为美国国家科学院院士、台湾“中央研究院”院士、香港工程科学院院士、中国科学院外籍院士；1998 年至 2001 年出任香港科技大学副校长，2008 年 8 月 12 日在美国洛杉矶去世。