半导体发展史上的 6 个国人(3)

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1936 年 3 月 21 日出生于江苏省南京市。父亲施家福是矿冶专家，母亲齐祖诠毕业于清华大学。此时的中国，战火纷飞，从重庆、昆明、天津 、北京、沈阳、上海，施敏就读的小学换了多个学校，尽管如此，学业没有被耽误。1948 年 12 月，父亲施家福被调派至基隆金瓜石，于是施敏随着父母来到台湾。离开了战火的纷扰，施敏顺利的在建国中学完成了中学学业，1953 年进入台湾大学电机系，毕业时其论文是“电阻电容震荡器之研究 Study of RC Oscillators”.

1957 年大学毕业后，施敏入伍接受第六期预备军官训练，1958 年任空军少尉，1959 年 2 月退役。1959 年 3 月，施敏前往美国西雅图的华盛顿大学求学，师从魏凌云教授，得以第一次接触半导体，其硕士论文“锌和锡在锑化铟中的扩散 Diffusion of Zinc and Tin in Indium Antimonide”。1960 年施敏硕士毕业，随即进入斯坦福大学深造，师从 John Moll 教授。其博士论文是“Range-Energy Relation of Hot Electrons in Gold”是在半导体上长一层薄薄的金薄膜，研究热电子要薄膜中的传输情形。

此时，半导体公司正在加速扩张。贝尔实验室、通用电子、西屋电子、惠普、IBM、RCA 等都为施敏开出了很高的薪资（12000-14400 美元之间），给出的工作岗位分别是：通用电子的功率半导体部门、贝尔实验室的半导体部门、IBM 的显示部门。

1963 年博士毕业后的施敏听从 John Moll 教授的忠告，选择进入了贝尔实验室。从 1963 年到 1972 年，施敏每年发表的论文超过 10 篇。

1967 年，他在贝尔实验室工作时，和韩裔同事姜大元（Dawon Kahng）休息吃甜点时，用了一层又一层的涂酱，触动了二人的灵感，想到在金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）中间加入一层金属层，结果发明了浮栅非挥发 MOS 场效应记忆晶体管（Non-Volatile Semiconductor Memory，NVSM）。