半导体发展史上的 6 个国人

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1947 年 12 月，美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管，这是全球第一个半导体器件。在半导体发展的 70 多年历史中，中国人依靠聪明才智，发挥了重要的作用。

一、萨支唐：CMOS 技术

萨支唐（Chih-Tang Sah），1932 年 11 月 10 日生于北京；长期致力于半导体器件和微电子学研究，对发展晶体管、集成电路以及可靠性研究作出了里程碑性质的贡献。父亲萨本栋是第一届中央研究院院士、国立厦门大学第一任校长。

1949 年萨支唐从福州英华中学毕业，赴美国就读于伊利诺伊大学香槟分校，1953 年获电机工程学士和工程物理学士；1954 年、1956 年在斯坦福大学分别获电机工程硕士、博士学位。1956 年博士毕业后，萨支唐加入肖克利半导体实验室，跟随肖克利在工业界共同从事固态电子学方面的研究；1959 年至 1964 年供职于仙童半导体；1962 年加入伊利诺伊大学厄巴纳 - 香槟分校，任物理系和电子及计算机系教授达 26 年，培养出 40 名博士；1962 年获得获得 IEEE Browder H. Thompson 论文奖；1981 年获得 IEEE 电子器件最高荣誉奖（J.J. Ebers 奖）；1986 年当选为美国国家工程院院士；1988 年在佛罗里达大学担任教授至今；1989 年获得 IEEE Jack Morton 奖，表彰其对晶体管物理和技术的贡献；1998 年获半导体工业协会（SIA）最高奖；2000 年当选为中国科学院外籍院士；2010 年受聘任担任厦门大学物理与机电工程学院教授。

1959 年进入仙童公司，在戈登·摩尔的领导下，萨支唐开展了平面硅基集成电路的研发，解决了一系列重要的技术问题，做出过非常重要的贡献，并担任固态物理组经理，带领一个 64 人的研究组从事第一代硅基二极管、MOS 晶体管和集成电路的制造工艺研究，。